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PECVD管式炉：1700度高温管式炉+混气系统

文章出处：洛阳西格玛智能电阻炉人气：187 发表时间：2021-04-08

PECVD型等离子增强化学气相沉积系统管式炉

SGM PECVD管式炉系统由高温管式炉、高真空扩散泵/分子泵系统，多通道高精度数字质量流量控制系统，自动压强控制系统等组成。可实现本底真空达0.001—0.0001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验, 适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长等场所。

PECVD管式炉主要功能特点：

1、真空系统可根据使用要求选择我司扩散泵机组或分子泵机组；

2、可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制；

3、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计，流量显示仪等组成，实现气体的流量的精密测量和控制；

4、每条气体管路均配备高压逆止阀，保证系统的安全可靠。

5、采用水冷KF快速法兰密封，装卸方便快捷；

6、管路采用卡套连接，不漏气；

7、超温、过压时，自动切断加热电源及流量计进气，保证设备及实验的安全性。

SGM -1700度高温管式炉	控温方式	采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制50段升降温程序。
	加热元件	1700型质硅钼棒
	工作电源	AC220V 50Hz/60Hz
	额定功率	6kw
	炉管材质	99瓷氧化铝刚玉管
	炉管尺寸	Φ60/80/100*/1000mm
	工作温度	≤1600℃
	设计温度	1650℃
	恒温精度	±1℃
	升温速度	≤10℃/min
	测温元件	B型热电偶
	密封方式	不锈钢水冷KF法兰挤压密封
ZK 真空系统		ZK-F	ZK-K
	真空范围	0.1-0.001Pa	0.1-0.01Pa
	极限真空	5.0*10^-5Pa	5.0*10^-4Pa
	产品配置	双级旋片真空泵+分子泵	双级旋片真空泵+扩散泵
	冷却方式	风冷	水冷
	抽速	110L/S	100L/S
	测量方式	复合真空计
	真空规管	电阻规+电离规
ZDC-I 压强控制系统	测量范围	110^5～110^-1 Pa
	稳压(真空)范围	110^3～110Pa
	压力(稳定精度）	±3%
	控制范围	2.510^3～510^-1 Pa
	控制精度	± 1%
HQZ-Ⅲ 混气系统	控制方式	D07-7K质量流量计,D08流量显示仪
	流量规格（可订制）	0－500SCCM /0－1SLM,
	线性	±1%F.S.
	准确度	±1%F.S.
	重复精度	±0.2%F.S.
	响应时间	≤2sec
	耐压	3MPa
	气路通道	3通道（根据客户需求）
	针阀	316不锈钢
	管道	Φ6mm不锈钢管
	接口	SwagelokΦ6mm

PECVD全程等离子增强化学气相淀积; 等离子增强型化学气相沉积; 等离子体化学气相淀积; 等离子体增强化学气相沉积系统; 等离子体增强型化学气相淀积;

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

PECVD点：

基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。

缺点如下：

1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；

2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光ontcolor="#136ec2">辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；

3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

例子：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路设计后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。

美国NANOMASTER公司PECVD

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此文关键词： PECVD管式炉：1700度高温管式炉+混气系统