这款坩埚电阻箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,60分钟内能达到13...
了解详情+1400℃立式管式炉采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效保证外壳表面温度;开启式炉盖设计,可在高温情况下观察物料反应情况并实...
了解详情+1200℃立式开启式管式炉采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效保证外壳表面温度;开启式炉盖设计,可在高温情况下观察物料反应情...
了解详情+这款1600℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度速...
了解详情+这款1400℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度速...
了解详情+这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝(瑞典 Canthal A1)为加热元件,采用双层壳体结构和50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡...
了解详情+这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝(瑞典 Canthal A1)为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡...
了解详情+这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款1800℃气氛箱式炉以进口硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用日本进口氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风...
了解详情+这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有...
了解详情+这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、(可选配)高真空系统由...
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