这款坩埚气氛炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温...
了解详情+这款坩埚气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+该SGM八通道单温区CVD系统由 8路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成! CVD系统是在单温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为...
了解详情+该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成! CVD系统是在单温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为...
了解详情+该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成! CVD系统是在单温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为...
了解详情+该SGM四通道单温区CVD系统由 4路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成! CVD系统是在单温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为...
了解详情+该SGM三通道单温区CVD系统由 3路供气系统+单温区管式炉+抽气系统组成! CVD系统是在单温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为...
了解详情+该SGM双通道三温区CVD系统由2路供气系统+三双温区管式炉+抽气系统组成!CVD系统是在双温区管式炉,炉底(可选)配安装一对滑轨,可用手滑动。可以达到快速升降温的目的,为取...
了解详情+多温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率设计大可达100°C/min。为取得设计快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后...
了解详情+这款1800℃立式管式炉以进口硅钼棒为加热元件,1400℃式管式炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系...
了解详情+单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率设计大可达100°C/min。为取得设计快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后...
了解详情+这款1700℃管式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统...
了解详情+单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率设计大可达100°C/min。为取得设计快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后...
了解详情+单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率设计大可达100°C/min。为取得设计快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后...
了解详情+这款1600℃管式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统...
了解详情+这款坩埚电阻箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,60分钟内能达到13...
了解详情+这款坩埚电阻箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,60分钟内能达到13...
了解详情+1400℃立式管式炉采用智能化程序控温系统,可控硅控制,控温精度高;双层炉壳间配有风冷系统,有效保证外壳表面温度;开启式炉盖设计,可在高温情况下观察物料反应情况并实...
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