15 2020/05

1400℃箱式氢气炉

这款1400℃箱式氢气炉以质钼丝为加热元件，采用双层壳体结构和50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度速...

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15 2020/05

1200℃箱式氢气炉

这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和50段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡...

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15 2020/05

1100℃箱式氢气炉

这款1100℃箱式氢气炉以电阻丝（瑞典 Canthal A1）为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡...

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15 2020/05

1100℃箱式气氛炉

这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快...

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15 2020/05

1800℃箱式气氛炉

这款1800℃气氛箱式炉以进口硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风...

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15 2020/05

1700℃箱式气氛炉

这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快...

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15 2020/05

1600℃箱式气氛炉

这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快...

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15 2020/05

1400℃箱式气氛炉

这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快...

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15 2020/05

1200℃箱式气氛炉

这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有...

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15 2020/05

1700℃氢气管式炉

这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度...

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15 2020/05

1600℃氢气管式炉

这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度...

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15 2020/05

1400℃氢气管式炉

这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、升降温度...

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15 2020/05

1200℃滑动PECVD

PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点： 1、（可选配）高真空系统由...

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15 2020/05

1200℃PECVD管式炉

PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点： 1、（可选配）高真空系统由...

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15 2020/05

1200℃PECVD回转炉

PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点： 1、高真空系统由双级旋片真...

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15 2020/05

1200℃PECVD管式炉

PECVD系统由开启式单（双）温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点： 1、高真空系统由双级旋片真...

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15 2020/05

TS-PE

PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反...

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15 2020/05

1700℃坩埚气氛炉

这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温...

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15 2020/05

1600℃坩埚气氛炉

这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温...

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15 2020/05

1400℃真空气氛炉

真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程...

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