这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有...
了解详情+这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、(可选配)高真空系统由...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、(可选配)高真空系统由...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、高真空系统由双级旋片真...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、高真空系统由双级旋片真...
了解详情+PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反...
了解详情+这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温...
了解详情+这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用电阻丝加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+皮拉尼式电阻式真空计,并带有控制功能 测量范围为10 -4 -1000 Torr. 在测量腔体真空度为10 -4 - 10 -3 Torr前必须进行零点校准,否则,显示真空度会有较大的偏...
了解详情+热电偶(thermocouple)是温度测量仪表中常用的测温元件,它直接测量温度,并把温度信号转换成热电动势信号,通过电气仪表(二次仪表)转换成被测介质的温度。各种热电偶的...
了解详情+硅钼棒阻性电热元件是一种以二硅化钼为基础制成的耐高温、抗氧化的电阻发热元件。在高温氧化性气氛下使用时,表面生成一层光亮致密的石英(SiO2)玻璃膜,能够保护硅钼棒内...
了解详情+高温炉用硅碳棒规格齐全,有粗端型、槽型、山型和双温区,等直径硅碳棒五大系列三百多种规格,擅长于各种高难度的异型棒,直径可达6-150毫米,广泛用于800-1500℃炉温的各...
了解详情+FP93日本岛电程序温控器 电炉型号:FP93 希曼顿独家代理日本岛电FP93程序控制温控表,FP93具有4组曲线,每组10段,亦可一组设计大40段曲线,每段设计长时间99小时59分,...
了解详情+适用于管式炉炉管密封不锈钢法兰。直径60、80、100等...
了解详情+版权所有 洛阳西格玛智能电阻炉 备案号: 豫备 保留所有权利.