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小型CVD生长系统
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1200℃双温区CVD系统

  • 电炉类型:高温电炉
  • 电炉名称:1200℃双温区CVD系统
  • 电炉类型:管式炉
  • 电炉品牌:西格马小型CVD生长系统
  • 电炉规格:
  • 电炉温度:1200℃
  • 厂家电话:

1200℃双温区CVD系统为实验室用多温区小型CVD生长系统,小型CVD生长系统有多温区管式炉、真空系统、混气系统组成。

产品用途:

此款小型CVD生长系统可用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

产品组成:

此款小型CVD系统配置:

1、1200度开启式真空管式炉(可选配单温区、双温区、三温区)

2、多路质量流量控制系统

3、真空系统(可选配中真空或高真空)

结构特点:

1、控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。

2、气路快速连接法兰结构,提高操作便捷性。

3、中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强,耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。

主要技术参数:

系统名称

1200℃单/双温区CVD系统

系统型号

SGM CVD60-12II-3Z/G

SGM CVD80-12III-3Z/G

最高温度

1200℃

加热区长度

420mm

600mm

恒温区长度

280mm

390mm

温区

双温区

三温区

石英管管径

Φ60(可选Φ80mm)

Φ80(可选Φ100mm)

额定功率

3.2Kw

4.8Kw

额定电压

220V

温度控制

智能程序控温系统,50段程序控温;

控制精度

±1℃

炉管最高工作温度

<1200℃

气路法兰

密封法兰与管件连接采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,

在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效。

气体控制方式

质量流量计

气路数量

3路(可根据具体需要选配气路数量)

流量范围

0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定

精度

±1%F.S

响应时间

≤4sec

工作温度

5-45℃

工作压力

进气压力0.05-0.3Mpa(表压力)

系统连接方式

采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪

规格

高真空

系统真空范围

1x10-3Pa-1x10-1Pa

真空泵

真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa,

抽气速度1200L/S,

额定电压220V    功率2KW

真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa,

抽气速度1600L/S,

额定电压220V  功率2KW

炉体外形尺寸

350×600×560mm

500×800×610mm

系统外形尺寸

530x1440x750mm(不含高真空)

系统总重量

330kg


小型CVD生长系统价格需要根据详细参数确定,可与小型CVD生长系统厂家详细沟通

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