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二硫化钼
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二硫化钼CVD系统

  • 电炉类型:高温电炉
  • 电炉名称:二硫化钼CVD系统
  • 电炉类型:管式炉
  • 电炉品牌:西格马二硫化钼
  • 电炉规格:
  • 电炉温度:
  • 厂家电话:

二硫化钼CVD系统是由SGM TF50-12CVD双温区管式炉,SGM TF50-4硫粉预热器(双温区管式炉与预热器可滑动),质量流量计供气系统,机械式真空泵等组成。

硫粉预热器采用管内测控温以保证在250℃以下,稳定控制硫蒸汽的蒸发时机和蒸发温度。真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。采用耐腐蚀电阻电容复合真空计(在1000Pa以上测量不受气体种类影响,耐硫蒸气腐蚀),通过调节真空蝶阀的开启程度调节炉管内压力稳定,在1200℃以下的工艺温度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。

主要技术参数

硫粉预热器

电炉型号:SGM TF50-4

工作温度:350℃

设计温度:400℃

升温速率:<30℃/min

推荐升温速率:10℃/min

控温方式:智能化30段可编程控制

工作电压:AC220 V

额定功率:800W

控温精度:±1℃

加热元件:电阻丝

双温区

硫化炉

电炉型号:SGM TF50-12CVD

技术参数:

额定功率(KW):3

额定电压(V):AC220v 50/60 Hz

设温度(℃):1200(1 hour)

持续工作温度(℃):1100

升温速率(℃/min):≤50

炉管尺寸(mm):

高纯石英管Φ50×1500mm

加热区长度(mm):440mm

恒温区长度(mm):200mm

控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能

控温精度(℃):±1

加热元件:电阻丝

供气系统
SGM-3Z

三路质量流量计混气室

重量:35Kg

外形尺寸:600x600x650mm

连接头类型:双卡套不锈钢接头。

标准量程(N2标定):50sccm、200sccm、500sccm;
(可根据用户要求定制)

准确度:±1.5%

线性:±0.5~1.5%

重复精度:±0.2%

响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

工作压差范围:0.1~0.5 MPa

上限压力:3MPa

接口:Φ6,1/4''

显示:4位数字显示

工作环境温度:5~45高纯气体

内外双抛不锈钢管:Φ6

压力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止阀:Φ6

低真空机组
VAU-02

技术参数:

空气相对湿度≤85%,

工作电电压:220V±10% 50~60HZ

功率:1千瓦

抽气速率:4L/s

极限真空:4X10-2Pa

实验真空度:1.0X10-1Pa

容油量:1.1L

进气口口径:KF25

排气口口径:KF25

转速:1450rpm

噪音:50dB

外型尺寸:450×180×240mm

配真空粉尘过滤器,DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力,INFICON PCG554复合真空计

 

钼酸钠梅花

在用Si片蒸发沉积,然后硫化在目标衬底上形成二维材料二硫化钼,由于进气口漏气,导致硫粉被氧化使得CVD(化学气相沉积)无法获得二硫化钼.

 

使用CVD方法合成了垂直堆叠的VS2–VS超晶格,化学气相沉积法(CVD)方法直接生长的钒(V)基二维超晶格中的异质本征超晶格结构。

通过CVD方法生长出高度结晶的多层二硫化钼(MoS2)薄片

CVD合成二硫化钼过程的废气处理设备

使用cvd技术合成二硫化钼过程中会产生大量废气,其中主要为酸性气体(hcl和hf)和氮氧化物(nox),若不加以处理就排放,会对大气环境造成污染,实验室中制备二硫化钼时,废气通常使用排气装置直接排除,但废气中的酸性气体会腐蚀排气管道。

用于CVD合成二硫化钼过程的废气处理设备可用于cvd合成二硫化钼过程的废气处理装置。


 

二硫化钼价格需要根据详细参数确定,可与二硫化钼厂家详细沟通

联系二硫化钼CVD系统厂家电话,沟通二硫化钼CVD系统详细参数和二硫化钼CVD系统价格

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