双面光刻机

双面光刻机主要技术指标

双面对准，单面曝光（适用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
双面对准，双面曝光（适用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
1、适用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相对应的版夹盘，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、调密着真空度，能实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
4、采用鹰眼曝光头，光的不均匀性≤±3%，曝光时间0～9999.9秒可调。
5、具有预定位靠尺：利用基片切边进行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有双工作承片台，利用曝光时间，进行卸片、上片工作。

G-30型双面光刻机

主要用途
主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产。由于本机找平机构先进，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。
工作方式
本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光，又可对基片的反面相对于正面对准曝光
主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源（蝇眼）曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常不错的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、电磁阀和按钮、特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便
主要技术指标
曝光类型：正、反面对准单面曝光
曝光面积：≥φ115mm
曝光不均匀性：≤±3%
曝光强度：≥20mw/cm2（365nm、404nm、435nm的组合紫外光）
曝光分辨率：1μm
曝光模式：可选择正面对准套刻曝光或反面对准套刻曝光

对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm、Q细调±3°
对准精度：正面1μm、反面3～5μm
分离量;0～50μm可调
接触－分离漂移：≤±0.5μm
曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
找平机构：三点式自动找平
显微系统：
1)正面对准采用双视场CCD立式显微镜:总放大倍数45X～300X(物镜放大倍数1.1X～7.5X连续变倍)，双物镜可调距离11mm～100mm，扫描范围:X±40mm、Y±35mm;
2)反面对准采用双视场CCD卧式显微镜:总放大倍数60X、120X两种(物镜放大倍数2X、4X两种),双物镜可调距离25mm～70mm;
3)两种显微镜共用一套计算机图像处理系统
掩模版尺寸：2.5″×2.5″(或3″×3″)、4″×4″、5″×5″
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度：≤5mm
曝光灯功率：直流350W
曝光定时：0～999.9秒可调
对准方式：切斯曼对准机构
曝光头转位：气动
电源：单相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
洁净空气压力：≥0.4Mpa
真空度：-0.07MPa～-0.09Mpa
尺寸： 920×680×1600 (L×W×H)mm
重量：～170kg

G-33型双面光刻机

主要用途：
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。
工作方式：
本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。
主要构成：
主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多点光源蝇眼式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下(设计小尺寸为5×5mm)，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常不错的三点找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式五层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、电磁阀和按钮、特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
技术参数

1．曝光类型：单面对准双面一次曝光;
2．曝光面积：≥φ165mm;
3．曝光不均匀性：φ150mm内≤±3%;
4．曝光强度：≥12mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的组合紫外光）;
5．曝光分辨率：≤1.5μm;
6．曝光模式：双面同时曝光;
7．对准精度：上版与下版的对准精度≤±3μm;
8．对准范围：X：±5mm Y：±5mm;
9．旋转范围：Q向旋转调节≥±5°;
10．额定升降：≥20mm;
11．密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
12．显微系统：双视场CCD系统，显微镜60X～400X连续变倍，显微镜扫描范围：
X：±40mm ， Y：±35mm;双物镜距离可调范围：45mm～150 mm，计算机图
像处理系统，19″液晶监视器;
13．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″;
14．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″;
15．基片厚度：≤5 mm
16．曝光灯功率：直流2×350W;
17．曝光定时：0～999.9秒可调;
18. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW;
19．洁净压缩空气压力：≥0.4MPa;
20．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
21．尺寸： 985mm（长）×680mm（宽）×1800mm（高）;
22．重量：约190Kg。

G-35型双面光刻机

主要用途：
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。
工作方式：
本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。
主要构成：
主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多点光源蝇眼式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
主要功能特点

适用于φ主要技术指标

曝光类型：单面对准双面一次曝光;
曝光面积：≥φ115mm;
曝光不均匀性：φ100mm内≤±3%;
曝光强度：≥20mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的组合紫外光）;
曝光分辨率：≤1μm;
曝光模式：双面同时曝光;
对准精度：上版与下版的对准精度≤±3μm;100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
对准范围：X：±5mm Y：±5mm;
旋转范围：Q向旋转调节≥±5°;
额定升降：≥20mm;
密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
显微系统：双视场CCD系统，显微镜60X～400X连续变倍（物镜1.5X～10X)显微镜扫描范围：X：±40mm ， Y：±35mm; 双 物镜距离可调范围：25mm～150 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器;
掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″;
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″;
基片厚度：≤5 mm
曝光灯功率：直流2×350W;
曝光定时：0～999.9秒可调;
电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW;
洁净压缩空气压力：≥0.4MPa;
真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
尺寸： 985mm（长）×680mm（宽）×1800mm（高）;
重量：约180Kg。

Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。
3.操作简便
X、Y移动、Q转、Z轴升降采用手动方式;吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。
4.可靠性高
采用电磁阀、按钮、定时器;采用特的气动系统、真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。

G-37型双面光刻机

主要用途
主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和
生产。由于本机找平机构先进，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光
工作方式
本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光，又可对基片的反面相对于正面对准曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源（蝇眼）曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ153mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常不错的三点找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式五层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙;承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、电磁阀和按钮、特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
技术参数

1．曝光类型：正、反面对准单面曝光;
2．曝光面积：≥φ165mm;
3．曝光不均匀性：≤±3%;
4．曝光强度：≥10mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的组合紫外光）;
5．曝光分辨率：1μm;
6．曝光模式：可选择正面对准套刻曝光或反面对准套刻曝光;

7．对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm;Q细调±3°;
9．对准精度：正面1μm;反面3～5μm;
10．分离量;0～50μm可调;
11．接触－分离漂移：≤±0.5μm;
12．曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
13．找平机构：三点式自动找平。
14．显微系统：
1）正面对准采用双视场CCD立式显微镜：总放大倍数60X～400X（物镜放
大倍数1.5X～10X连续变倍），双物镜可调距离45mm～150mm，扫描范围:X±40mm ，Y±35mm;
2）反面对准采用双视场CCD卧式显微镜：总放大倍数60X、120X两种（物
镜放大倍数2X、4X两种）,双物镜可调距离25mm～70mm;
3）两种显微镜共用一套计算机图像处理系统。
15．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″;
16．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″;
17．基片厚度：≤5mm;
18．曝光灯功率：直流350W;
19．曝光定时：0～999.9秒可调;
20．对准方式：切斯曼对准机构。
21．曝光头转位：气动;
22. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW;
23．洁净空气压力：≥0.4MPa;
24．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
25．尺寸： 920mm（长）×680mm（宽）×1600mm（高）;
26．重量：约180Kg。

G-31型双面光刻机

主要用途
主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。
工作方式
本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。
主要构成
主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多面反射式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.结构先进
Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。
3.操作简便
XY移动、Q转、Z轴升降采用手动方式;
吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。
4.可靠性高
采用电磁阀、按钮、定时器;采用特的气动系统、真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。
主要技术指标
曝光类型：单面对准双面曝光
曝光面积：≥φ120mm
曝光不均匀性：≤±6%
曝光强度：≥5mw/cm2（365nm、404nm、435nm的组合紫外光）
曝光分辨率：≤2μm
曝光模式：双面同时曝光
对准精度：上版与下版的对准精度≤5μm
对准范围：X:±5mm Y:±5mm
旋转范围：Q向旋转调节≥±5°
额定升降：≥20mm
密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光;
显微系统：双视场CCD系统，显微镜45X～300X连续变倍(物镜1.1X～7.5X)，显微镜扫
描范围：X：±40mm， Y：±35mm;双物镜距离可调范围：11mm～100 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器;
掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度：≤5 mm
曝光灯功率：直流2×200W
曝光定时：0～999.9秒可调
电源：单相AC 220V 50Hz 功耗≤1kW
洁净压缩空气压力：≥0.4Mpa
真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa
尺寸： 985×680×1450 (L×W×H)mm;
重量：～160kg

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