产品详情

　　主要特点

　　1.广泛用于真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境;

　　2.该设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理;

　　3.该设备广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域

　　技术参数

功率	20KW
额定温度	1400℃
工作温度	1300℃
加热区尺寸	300+300+300mm
加热区长度	900mm
恒温区长度	500mm
加热元件	（直棒）硅碳棒
控制方式	模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度	±1℃
推荐升温速率	10℃/min
炉管直径	Φ130mm
设备结构方式	封闭式

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