TS-PE

PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点，工艺流程简单。

射频电源主要技术参数如下：

电源：单相50/60Hz220v±10%

加热（功率）电源：2.5KW，25A

控制柜电源空气开关：32A空气开关

薄膜生长室温度：室温~1200℃

射频频率：13.56MHz

射频功率输出范围：5~500W

可以选配射频电源