炉体可滑动管式PECVD系统：小型PECVD系统
产品用途
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
实验室用小型炉体可滑动管式 PECVD 系统＝“把管式炉装到直线滑轨上”，让整段加热区可以在 1 min 内“推上去升温/拉开降温”，配合 13.56 MHz 射频等离子体，在 100–900 °C 范围内完成低温、快速、原位薄膜沉积。
核心优势
① 秒级热循环：炉体拉开后石英管裸露，降温速率 >30 °C min?1，实验周期缩短 50 %。② 低温沉积：等离子体增强使成膜温度比常规 CVD 低 200–400 °C，适用于 PET、铜箔、纤维等不耐温基底。
③ 原位多层：不破真空，滑动循环即可实现叠层或异质结，界面污染少。
④ 模块化扩展：预留 KF25 口，可外接等离子体刻蚀、ALD 或原位测试探针。
典型应用
石墨烯、碳纳米管低温直接生长（铜箔、石英、云母）。MoS?/h-BN/WS? 二维异质结原位叠层。
GaN、SiN? 纳米线及柔性 LED 钝化层。
钙钛矿太阳能电池界面缓冲层。
粉体（Si、石墨、陶瓷）均匀包覆或表面功能化。
小型PECVD系统配置；
1、1200度开启式滑动单温区真空管式炉
2、等离子射频电源
3、多路质量流量控制系统
4、真空系统（单独购买）
产品特性;
电源范围广；温度范围宽；溅射区域长；整管可调；精致小巧，性价比高，可实现快速升降温，是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
炉体可滑动管式PECVD系统
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系统名称 |
小型自动滑动型PECVD系统(高配版) |
1200℃小型PECVD系统（经济款） |
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系统型号 |
STR MTF60-12PECVDH |
STR MTF60-12PECVD |
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控制方式 |
液晶屏微PLC控制系统 |
手动 |
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最高温度 |
1200℃ |
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加热区长度 |
250mm |
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恒温区长度 |
120mm |
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温区 |
单温区 |
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石英管管径 |
Φ60mm |
Φ60mm |
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额定功率 |
2Kw |
2Kw |
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额定电压 |
220V |
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滑动方式及距离 |
自动滑动;200mm |
手动滑动;200mm |
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温度控制 |
30段程序控温 |
30段程序控温 |
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控制精度 |
±1℃ |
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炉管最高工作温度 |
＜1200℃ |
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气路法兰 |
采用多环密封技术卡箍快速连接 |
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排风冷却装置 |
先进的空气隔热技术，结合热感应技术，当炉体表面温升到50℃时， 排温风扇将自动启动，使炉体表面快速降温。 |
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气体控制方式 |
质量流量计（按键式） |
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气路数量 |
2路（2-4路） |
2-4路（可根据具体需要选配气路数量） |
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流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
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精度 |
±1%F.S |
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响应时间 |
1sec |
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工作温度（流量计） |
20-120℃ |
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工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
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进气方式 |
采用防倒流设计 |
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规格 |
中真空（集成型请单独购买） |
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系统真空范围 |
10Pa-100Pa |
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真空泵 |
双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/S（选配：其他抽速真空泵）,出气口配有油污过滤器，额定电压220V，功率0.55Kw |
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信号频率 |
13.56MHz±0.005% |
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功率输出范围 |
0W-500W |
0W-100W |
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最大反射功率 |
350W |
30W |
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射频输出接口 |
50Ω，N-type,temale |
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功率稳定度 |
±0.1% |
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谐波分量 |
≤-50dbc |
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供电电压 |
单相交流（187V-253V)频率50/60HZ |
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整机功率 |
≥70% |
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屏幕显示 |
正方向功率，匹配器电容位置，偏置电压值 |
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炉体外形尺寸 |
700×700×600mm |
700×700×600mm |
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系统总重量 |
270Kg |
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炉体可滑动管式 PECVD 系统的核心思路是:把“管式炉”做成可沿轨道整体滑动的结构,使加热区可以瞬间“离开”或“覆盖”石英管,从而在同一根管路上实现
① 快速升温(炉体推进)→ ② 等离子体增强沉积(恒温区保持)→ ③ 极速降温(炉体拉开)三段工艺,而无须把样品取出或更换炉管。其技术要点与典型配置如下:
滑动机构
炉壳底部装直线导轨+滚轮,手动或电机驱动,行程 300 mm～800 mm;滑轨带锁止装置,重复定位精度 ±1 mm,保证恒温区与等离子体耦合位置一致。
双温区管式炉
2×200 mm 独立加热区,最高 1200 ℃,连续工作 1100 ℃;升温速率 0–20 ℃/min,恒温区横向均匀性 ±1 ℃;炉膛采用高纯 Al?O? 纤维,热惯性小,为“滑动速冷”提供前提。
等离子体源
13.56 MHz、0–500 W 连续可调 RF 电源,反射功率 <3 W,匹配器自动调谐;电极多为外绕铜环或内置水冷平行板,可在 0.1 Pa–103 Pa 宽压区稳定放电。
真空与气体
双级旋片泵+分子泵机组,极限真空 4×10?? Pa;4–6 路 MFC(0–200 sccm/500 sccm)控制 Ar、H?、CH?、NH?、SiH? 等反应气,内置 1 L 混合罐,进气口与真空口均固定在非滑动端,避免软管拖链。
石英管与密封
高纯石英管 Φ50–100 mm×1600 mm,一端焊死、一端不锈钢 CF 快接;炉管与法兰间硅胶 O 圈挤压密封,可重复拆卸,正压 ≤0.02 MPa。
控制与安全
触屏 PLC 集中控温、控压、控功率;带超温、断偶、射频反射过大、炉管压力超限四重保护;滑轨两端设硬限位+光电开关,防止误操作撞裂石英管。
典型应用
石墨烯、CNT 低温生长(<600 ℃)、GaN 纳米线、SiO?/SiN? 钝化层、2D 材料异质结叠层等,可在 30 min 内完成“升温+沉积+降温”全过程,单炉周期比传统固定炉缩短 50 % 以上。
应用低温快速石墨烯/CNT 生长：600 ℃ 以下 5–15 min 成膜，适合铜箔、PET 等耐温基底。
二维材料异质结叠层：MoS?→h-BN→WS? 原位堆垛，滑轨循环“升温-沉积-速冷”，界面无沾污。
GaN、SiN? 纳米线及钝化层：≤900 ℃ 获高结晶度，用于微型 LED、柔性 MEMS。
钙钛矿/硅叠层电池界面缓冲层：低温 SiN?、Al?O? 钝化，缩短工艺链，提高开路电压。
粉体或纤维均匀包覆：利用滑动炉体反复“镀-冷-翻转”实现 360° 厚度一致，用于锂电硅碳负极、微波吸收涂层。
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