产品详情

1200℃双温区CVD系统为实验室用多温区小型CVD生长系统，小型CVD生长系统有多温区管式炉、真空系统、混气系统组成。

产品用途：

此款小型CVD生长系统可用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。

产品组成：

此款小型CVD系统配置：

1、1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区、三温区）

2、多路质量流量控制系统

3、真空系统（可选配中真空或高真空）

结构特点：

1、控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。

2、气路快速连接法兰结构,提高操作便捷性。

3、中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。

主要技术参数：

系统名称	1200℃单/双温区CVD系统
系统型号	STR CVD60-12II-3Z/G	STR CVD80-12III-3Z/G
最高温度	1200℃
加热区长度	420mm	600mm
恒温区长度	280mm	390mm
温区	双温区	三温区
石英管管径	Φ60(可选Φ80mm）	Φ80（可选Φ100mm）
额定功率	3.2Kw	4.8Kw
额定电压	220V
温度控制	智能程序控温系统，50段程序控温；
控制精度	±1℃
炉管最高工作温度	＜1200℃
气路法兰	密封法兰与管件连接采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封， 在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效。
气体控制方式	质量流量计
气路数量	3路（可根据具体需要选配气路数量）
流量范围	0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定
精度	±1%F.S
响应时间	≤4sec
工作温度	5-45℃
工作压力	进气压力0.05-0.3Mpa(表压力）
系统连接方式	采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
规格	高真空
系统真空范围	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa， 抽气速度1200L/S， 额定电压220V    功率2KW	真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa， 抽气速度1600L/S， 额定电压220V  功率2KW
炉体外形尺寸	350×600×560mm	500×800×610mm
系统外形尺寸	530x1440x750mm(不含高真空)
系统总重量	330kg

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