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1800℃立式退火炉为半导体材料专用设备，立式退火炉采用立式结构设计，为立式真空退火炉，可通入氮气、一氧化碳、氩气等保护气体。

立式退火炉主要用于半导体硅晶片的退火、具有控温精度高、温度场均衡、升降温速率快、可靠性高等特点，是制作半导体硅晶片材料的必备工艺设备

立式退火炉技术参数

1、设计温度：1800℃

2、常用温度：1700℃

3、供电电源：AC380V±10％,3相4线, 50Hz

4、加热元件：硅钼棒

5、适用烧结气氛：氮气、一氧化碳、氩气