单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。
高温晶体生长炉主要用于LED行业的蓝宝石晶体制备。
赛特瑞高温晶体生长炉为高温氧化物晶体生长设备。高温晶体生长炉炉体钟罩式升降,放置坩埚和维护热场。底部坩埚升降,籽晶在坩埚底部,坩埚杆带水冷。采用分子泵或油扩散泵,控制系统带有PLC和摸触屏。
赛特瑞生长炉系列产品有:单晶生长炉、晶体生长炉、单晶硅生长炉、蓝宝石炉、蓝宝石生长炉、碳化硅生长炉、多晶硅生长炉、半导体生长炉、硅单晶生长炉、石墨烯生长炉、vb生长炉、单晶体生长炉、cvd生长炉、野性生长炉石、蓝宝石晶体生长炉。
1、额定加热温度: 1800℃
2、功率: 80Kw±10%单相整流
3、冷态极限真空度: ≤5×10E-a
4、.压升率: ≤2Pa/h
5、炉体尺寸: Ф750×1065mm(直径×高)
6、工作尺寸: Ф320×300
7、测温系统: 热电偶
8、控温精度: ±0.1℃,采用日本岛电温控仪表
9、加热区: 一区
10、坩埚升降参数: 位移行程 400mm
慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)精度±0.01mm
快速升降50-200mm/min(伺服控制)
11、底出料参数: 位移行程 850mm
升降速度100-1000mm/min
12、炉内充气压力: ≤0.05MPa
13、充放气系统: 两路(一路采用电磁阀充放气,一路预留充放气接口)
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