
PECVD
赛特瑞STRPECVD系统(PE-12100C)
PECVD系统就是为了使传统的化学气象沉积(CVD)反应温度降低,在普通CVD装置的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离,形成等离子体,利用等离子体的活性来促进反应,所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统(PECVD)。
该型号PECVD为赛特瑞STR设计新款,综合了国内大多数厂家的管式PECVD系统的点,在PECVD前端加入了气体预热区,实验证明此结构沉积速度快,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。而且控制部分采用了赛特瑞STR自主研发的实验电炉AIO全自动智能控制系统,使得操作更加简便,功能更加强大。
1、气体预热——增加前端气体预热区,沉积速度更快,成膜效果更好;
2、AIO控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制集中于一个7英寸触摸屏进行统一集中调节和操控,协调控制——赛特瑞STRAIO控制系统;
3、管内压力自动平衡——管内压力实时监测,自动平衡管内压力。
4、智能气路通断——每路气体均可定时通断,省时省力;
5、射频功率和开关定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间,自动运行;
6、炉膛移动速度可调——根据实验要求,用户可设定炉膛左右移动的速度可距离;
7.、整机结构融为一体——移动方便,避免分散组装的困扰。
| 加热炉部分 | ||
| 1 | 炉膛模式 | 开启式炉膛 | 
| 2 | 显示模式 | 7英寸触摸屏 | 
| 3 | 极限温度 | 1400℃ | 
| 4 | 工作温度 | ≤1350℃ | 
| 5 | 升温速率 | 建议10℃/MinMax:30℃/Min | 
| 6 | 加热温区 | 3温区 | 
| 7 | 单温区长度 | 150mm | 
| 8 | 炉管规格 | 100*2000mm | 
| 9 | 控温精度 | ±1℃ | 
| 10 | 密封方式 | 快速法兰密封 | 
| 11 | 温度曲线 | 30段"时间—温度曲线"任意可设 | 
| 12 | 预存曲线 | 可预存15条温度曲线 | 
| 13 | 超温报警 | 有 | 
| 14 | 过流保护 | 有 | 
| 15 | 断偶提示 | 有 | 
| 16 | 测温元件 | s型热电偶 | 
| 17 | 炉膛材料 | 氧化铝纤维 | 
| 18 | 外形尺寸 | 2600*860*1400MM | 
| 射频电源功率 | ||
| 1 | 信号频率 | 13.56MHz±0.005% | 
| 2 | 功率输出范围 | 5W-300W | 
| 3 | 功率稳定度 | ±0.1% | 
| 4 | 谐波分量 | ≤-50dbc | 
| 5 | 供电电压 | 单相交流(187V-253V)频率50/60HZ | 
| 6 | 整机效率 | >=70% | 
| 7 | 功率因素 | >=90% | 
| 8 | 冷却方式 | 强制风冷 | 
| 9 | 真空部分 | |
| 10 | 工作电电压 | 220V±10%50~60HZ | 
| 11 | 功率 | 500W | 
| 12 | 抽气速率 | 4Ls | 
| 13 | 进气口口径 | KF25 | 
| 14 | 排气口口径 | KF25 | 
| 15 | 转速 | 1450rpm | 
| 16 | 噪音 | 55dB | 
| 17 | 极限真空 | 4X10-2Pa | 
| 气路系统 | ||
| 1 | 1,2气路采用DB07K系列 | |
| 准确度:±1.5% | ||
| 重复精度:±0.2% | ||
| 响应时间:气特性:1~4Sec,电特性:10Sec | ||
| 工作压差范围:0.1~0.5MPa | ||
| 2 | 3路采用高精度CS200系列 | |
| 准确度:±0.35%FS±1.0%SP | ||
| 线性:±0.5%FS | ||
| 重复精度:±0.2%FS | ||
| 响应时间:气特性:1Sec | ||
| 整机系统特色 | ||
| 1 | 正压测量 | -100Kpa---100Kpa | 
| 2 | 真空测量 | 10-2Pa~100Kpa(支持Ar测量) | 
| 3 | 正压保护 | 支持 | 
| 4 | 压力恒定 | 支持 | 
| 5 | 智能气路 | 支持 | 
| 6 | 气路定时 | 支持 | 
| 7 | 射频工作时间设定 | 支持 | 
| 8 | 移动速度调节 | 支持 | 
| 9 | 系统真空度 | 4.8×10-3Pa | 
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等离子体增强化学的气相沉积法。这种方法有很多点,比如成膜质量好等。
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